央廣網(wǎng)上海9月10日消息（記者何智康）功率器件是電能轉(zhuǎn)換、控制與調(diào)節(jié)的核心芯片，是電力電子裝置的基礎(chǔ)。碳化硅是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，具備高耐壓、低損耗、耐高溫以及高頻特性，是實(shí)現(xiàn)電能高效轉(zhuǎn)換的核心基礎(chǔ)材料，廣泛支撐新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、特高壓輸電等關(guān)鍵領(lǐng)域的技術(shù)迭代。

近日，一場(chǎng)碳化硅前沿技術(shù)分享暨成果發(fā)布會(huì)在上海舉行，碳化硅超級(jí)結(jié)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）產(chǎn)品全球首發(fā)。業(yè)內(nèi)人士介紹，這意味著中國(guó)廠商在下一代碳化硅技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中，邁入從“跟隨對(duì)標(biāo)”走向“原創(chuàng)突破”的全新階段。

碳化硅前沿技術(shù)分享暨碳化硅超級(jí)結(jié)MOSFET成果發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)（央廣網(wǎng)發(fā) 受訪(fǎng)者供圖）

超級(jí)結(jié)技術(shù)是什么？功率器件類(lèi)似一座電閘，閘門(mén)打開(kāi)時(shí)電流需要寬大順暢的通道，減少損耗；閘門(mén)關(guān)閉時(shí)，要靠半導(dǎo)體材料承受高壓，防止擊穿。通道越寬，高壓越容易橫向滲透擊穿兩側(cè)材料；而通道越窄，電流阻力變大，損耗增加，轉(zhuǎn)換效率變低�！斑@不是簡(jiǎn)單‘多加幾根柱子’，而是一架精密天平：P柱與N柱兩側(cè)的電荷必須精準(zhǔn)平衡，哪怕極小偏差，也會(huì)打破電場(chǎng)分布，影響器件耐壓和性能。制造過(guò)程就像‘在微米世界里蓋一棟高樓’�！爆幮疚㈦娮勇�(lián)合創(chuàng)始人、CTO陳開(kāi)宇說(shuō)。

此次發(fā)布的核心成果，正是源自瑤芯微電子與中國(guó)科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)教授郝躍團(tuán)隊(duì)在碳化硅超級(jí)結(jié)技術(shù)上的深度產(chǎn)學(xué)研合作，雙方歷時(shí)五年聯(lián)合技術(shù)攻關(guān)，協(xié)同晶圓代工廠芯聯(lián)集成進(jìn)行工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)，率先實(shí)現(xiàn)這一前沿技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化的突破。正如瑤芯微電子創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)郭亮良博士所說(shuō)：“最近幾年，無(wú)論學(xué)術(shù)界還是產(chǎn)業(yè)界都亟需尋找下一個(gè)10年的技術(shù)路線(xiàn)，碳化硅超級(jí)結(jié)技術(shù)雖然已被廣泛研究，但面臨的很多技術(shù)瓶頸仍未攻克。歷經(jīng)艱苦攻關(guān)，我們?cè)诮佣�連三的問(wèn)題中迎難而上，找到了解決方案并最終實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化落地�！�

該原創(chuàng)技術(shù)的突破，具備重要的技術(shù)迭代價(jià)值與產(chǎn)業(yè)賦能價(jià)值。實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)1635V超高耐壓，高溫、常溫導(dǎo)通電阻大幅優(yōu)化，高溫電流密度較國(guó)際頂級(jí)水平提升166%，功率密度提升81%，逼近碳化硅材料一維物理極限，同時(shí)解決了器件高溫性能漂移難題�！斑@款1200V碳化硅超級(jí)結(jié)MOSFET，屬于全球范圍內(nèi)率先完成產(chǎn)品化驗(yàn)證的碳化硅超級(jí)結(jié)器件。”郝躍院士評(píng)價(jià)。